EL DISPOSITIVO DE ALMACENAMIENTO DENSO DE MEMORIA MÁS DELGADO

Unos ingenieros electrónicos en la Universidad de Texas en la ciudad estadounidense de Austin, en colaboración con científicos de la Universidad de Pekín en China, han desarrollado el dispositivo de almacenamiento denso de memoria más delgado, abriendo el camino hacia chips de ordenador más rápidos, pequeños e inteligentes, para su uso en muchos campos, desde la electrónica de consumo al big data o la computación inspirada en la arquitectura del cerebro.

Durante mucho tiempo, se creyó que no era posible producir dispositivos de memoria con de materiales que tuvieran un grosor de solo una capa atómica. Sin embargo, el equipo de Deji Akinwande, de la Universidad de Texas, empleando los nuevos componentes denominados atomorresistores, ha demostrado que sí es posible.

En la imagen: Ilustración de un efecto de memoria inducido por voltaje en nanomateriales monocapa, decisivos para lograr el dispositivo de almacenamiento denso de memoria más delgado. (Imagen: Cockrell School of Engineering, The University of Texas at Austin)

Hechos de nanomateriales de esencialmente un átomo de grosor, los atomorresistores superan en algunas prestaciones clave a los memorresistores.

Akinwande cree que los atomorresistores permitirán que siga vigente la ley de Moore, la cual predice que los circuitos de ordenador duplicarán su potencia cada dos años. Para lograrlo bastará con incorporar la integración 3D de memoria nanométrica con transistores nanométricos en el mismo chip, dentro de sistemas de computación lo bastante avanzados.

Los dispositivos de almacenamiento de memoria y los transistores han sido siempre, hasta la fecha, componentes separados en un microchip, pero los atomorresistores combinan ambas funciones en un único dispositivo, logrando así, en teoría, un sistema informático más eficiente. La clave está en usar láminas de grafeno, un singular material que consiste en una sola capa de átomos de carbono colocados en una disposición hexagonal similar a la de un panal de miel. Para los electrodos, el equipo de Akinwande ha empleado grafeno. Para la capa activa, ha utilizado láminas semiconductoras de grosor similar al del grafeno y hechas de sulfuro de molibdeno. El resultado es que el grosor de toda la célula de memoria es de tan solo un nanómetro y medio aproximadamente. Esto es una ventaja sustancial sobre la memoria flash convencional que ocupa un espacio mucho más grande. Además, la delgadez del nuevo diseño permite un flujo de corriente eléctrica más rápido y eficiente.

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